一、 1類瓷介電容器（DCC型）電容量偏小的主要原因有：
1、 測試頻率不是1MHZ（許多儀器只有1KHZ和100KHZ）。
2、 測試電壓不是1.0V，而是小于1.0V（許多儀器測試電壓為0.3V）。
3、 SL溫度系數(shù)產(chǎn)品，測試環(huán)境溫度不在25±2℃范圍。
4、 產(chǎn)品本身確實電容量偏小。
二、 1類瓷介電容器（DCC型）電容量偏大的主要原因有：
1、 測試頻率不是1MHZ（許多儀器只有1KHZ和100KHZ）。
2、 測試儀器設(shè)有補償夾具電容量分功能（夾具的分布電容使電容量偏大）。
3、 測試電壓大于1.0V。
4、 SL溫度系數(shù)產(chǎn)品，測試環(huán)境溫度不在25±2℃范圍。
5、 產(chǎn)品本身確實電容量偏大。
三、 2類瓷介電容器（DCT型）電容量偏小的主要原因有：
1、 測試環(huán)境溫度不在25±2℃范圍。不清楚電容量偏差與溫度特性的概念。
2、 測試頻率不是用1KHZ。
3、 測試電壓不是1.0V，而是小于1.0V。
4、 測試者手溫影響。
5、 產(chǎn)品放置時間過長（例如發(fā)往客戶產(chǎn)品，客戶經(jīng)很長時間才使用），因老化使電容量偏小。
6、 產(chǎn)品本身確實電容量偏小。
四、 2類瓷介電容器（DCT型）電容量偏大的主要原因有：
1、 測試環(huán)境溫度不在25±2℃范圍。不清楚電容量偏差與溫度特性的概念。
2、 測試電壓大于1.0V。
3、 測試頻率不是1KHZ。
4、 測試者手溫影響。
5、 產(chǎn)品經(jīng)熱處理后（例如經(jīng)波峰焊后），退老化時間小于48小時。
6、 產(chǎn)品本身確實電容量偏大。
五、 3類瓷介電容器（DCS型）電容量偏小的主要原因
與2類瓷介電容器相同，但其測試電壓應(yīng)為0.1V。
六、 3類瓷介電容器（DCS型）電容量偏大的主要原因
與2類瓷介電容器相同，但其測試電壓應(yīng)為0.1V。
七、 1類瓷介電容器Q值(品質(zhì)因素)偏小的主要原因有：
1、 測試儀器精度差，不能達到測量Q值要求精度。
2、 測試頻率不是1MHZ。
3、 測試夾具不清潔（用酒精清洗即可）。
4、 產(chǎn)品本身確實Q值偏小。
八、 2類瓷介電容器DF(損耗角正切)大的主要原因有：
1、 測試環(huán)境溫度太低，小于23℃以下。
2、 測試電壓大于1.0V。
3、 測試頻率不是1KHZ。
4、 產(chǎn)品本身確實DF大。
九、 IR(絕緣電阻)偏小的主要原因有：
1、 充電時間不夠，標準規(guī)定為1分鐘。
2、 測試環(huán)境的溫度高。
3、 測試者手汗的影響。
4、 產(chǎn)品本身確實偏小。（主要原因有：a．產(chǎn)品介質(zhì)擊穿；b．產(chǎn)品介質(zhì)有裂紋；c．瓷片沒有燒熟；d．二電極由于焊料或銀面翻邊而短路。）
十、 耐電壓不合格的主要原因有：
1、 測量時瞬間加壓，不是從零調(diào)到規(guī)定電壓。
2、 測試線路中沒有阻流電阻，充電電流過大，使產(chǎn)品擊穿。
3、 直流電容器加交流電壓進行耐電壓試驗。
4、 儀表的漏電流越差指示燈設(shè)定的漏電流過小。
5、 產(chǎn)品本身不合格。（主要原因有：a．產(chǎn)品介質(zhì)有裂紋；b．產(chǎn)品介質(zhì)沒有流邊量；c．產(chǎn)品介質(zhì)有針孔；d．產(chǎn)品介質(zhì)有雜質(zhì)。）
十一、交流電容器耐電壓測試漏電流大的主要原因：
通交流電壓時，經(jīng)過電容器的不是漏電流，而是直接通交流，理論上通過的電流如下公式計算：I=WCU；可見電容量越大，通過的電流也大，因此檢驗時，通過的電流與電容量直接相關(guān)，如果大電容量電容器，設(shè)定電流超限指示燈的電流過小，會誤判為電容器不合格。
十二、半導體電容器絕緣電阻一面合格，另一面不合格原因：
半導體電容器的結(jié)構(gòu)如下：
電極
絕緣層
半導體 等效電路圖
從等效電路可知：當半導體絕緣層一面破壞時，加電壓正負極不相同時，會出現(xiàn)上面所述一面IR合格，另一面不合格。
由于半導體電容器的介質(zhì)為很薄的一絕緣層，因而容易遭破壞，而使產(chǎn)品失效，測量時若加耐電壓過高會破壞絕緣層。
十三、電容器擊穿的主要機理：
1、電擊穿
